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igbt功率半導體器件測試難點

   igbt是由bjt(雙極型三極管)和mos(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有高輸入阻抗和低導通壓降兩方面的優(yōu)點;同時igbt芯片屬于電力電子芯片,需要工作在大 電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對芯片的可靠性要求較高。這給igbt測試帶來了一定的困難:

1、igbt是多端口器件,需要多種儀表協(xié)同測試;2、igbt的漏電流越小越好,需要高精度的設備進行測試;

3、igbt的電流輸出能力很強,測試時需要快速注入1000a級電流,并完成壓降的采樣;

4、lgbt耐壓較高,一般從幾千到一萬伏不等,需要測量儀器具備高壓輸出和高壓下na級漏電流測試的能力;

5、由于igbt工作在強電流下,自加熱效應明顯,嚴重時容易造成器件燒毀,需要提供us級電流脈沖信號減少器件自加熱效應;

6、輸入輸出電容對器件的開關性能影響很大 ,不同電壓下器件等效結電容不同,c-v測試十分有必要。

普賽斯大 功率igbt測試儀解決方案

  普賽斯igbt功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量和分析功能一體,可以精準測量igbt功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大 電流特性、uq級精確測量、na級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

   普賽斯igbt功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置由多種測量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設計能夠極大 方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。詳詢一八一四零六六三四七六；

“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢

   高電壓、大 電流

   具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500v(最 大 可擴展至10kv)

   具有大 電流測量/輸出能力,電流高達6000a(多模塊并聯(lián))

   高精度測量

   na級漏電流,  μω級導通電阻

   0.1％精度測量

   模塊化配置

   可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預留升級空間,后期可添加或升級測量單元

   測試效率高

   內(nèi)置專用開關矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元

   支持國標全指標的一鍵測試

   擴展性好

   支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

測試項目

集電極-發(fā)射極電壓vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓v(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓vcesat

集電極截止電流ices、柵極漏電流iges

柵極-發(fā)射極電壓vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓vge(th)

輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容

續(xù)流二極管壓降vf

i-v特性曲線掃描,c-v特性曲線掃描等