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一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的專用測(cè)試設(shè)備。

該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：

1)門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元

2)維持電流測(cè)試單元

3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元

4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元

5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元

6)擎住電流

7)門極電阻

8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

9)合格證標(biāo)簽 打印

10)夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具

二、技術(shù)條件

主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測(cè)試單元igt/vgt

1.陽(yáng)極電壓：12v;

2.陽(yáng)極串聯(lián)電阻：6ω;

3.門極觸發(fā)電壓：0.3～5.00v±3％±10mv;

4.門極觸發(fā)電流：2～450ma±3％±1 ma;

2.2 維持電流測(cè)試單元ih

1. 陽(yáng)極電壓：12v;

2.預(yù)導(dǎo)通電流： ＞10a,正弦衰減波；

3.維持電流： 2～450ma ±5％±1 ma;

4.測(cè)試頻率：?jiǎn)未危?/p>

2.3 通態(tài)壓降測(cè)試單元vtm

1.平板器件通態(tài)電流：0.10～5.00ka,分辨率：0.01ka,精度±1 0a±5％；

2.模塊器件通態(tài)電流：0.10～2.00ka,分辨率：0.01ka,精度±1 0a±5％；

3. 電流上升沿時(shí)間：≥5ms；

4. 通態(tài)壓降測(cè)試范圍： 0.20～10.00v, 分辨率：0.01v,精度±0.1 v±5％；

5. 測(cè)試頻率：?jiǎn)未危?/p>

2.4 斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流vd/id；反向電壓/反向漏電流vr/ir測(cè)試單元

1.阻斷電壓：0.20～6.00kv,分辨率：0.01kv,精度±0.1 kv±3％；

模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kv

2. 正反向自動(dòng)測(cè)試：

3．正/反向漏電流：0.2～100 ma,分辨率：0.1 ma；

精度：±5％±1 ma；

4. 輸出保護(hù)電壓和電流可計(jì)算機(jī)設(shè)定范圍值；在測(cè)試時(shí)電壓或漏電流超過(guò)所 設(shè)定的范圍則自動(dòng)保護(hù)。

5. 測(cè)試頻率： 50hz

2.5 斷態(tài)電壓臨界上升率測(cè)試單元dv/dt

1.電壓：1200v,1600v,2000v三檔,分辨率：1v,精度±5％；

2. 電壓過(guò)沖范圍：＜50v±10％

3. dv/dt電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800v/μs、1000v/μs、1200v/μs、精度±10％；

2.6 擎住電流il：100-1800ma

2.7 平板夾具壓力范圍：6-60kn,氣動(dòng)加壓方式

三、功能概述

3-1測(cè)試功能范圍

該套測(cè)試設(shè)備主要可測(cè)試以下參數(shù)：

1.門極參數(shù)測(cè)試：vgt、igt

2.維持電流測(cè)試：ih

3.阻斷參數(shù)測(cè)試：本測(cè)試單元可用以測(cè)量晶閘管的vdrm、vrrm、idrm、irrm以及整流二極管的vrrm、irrm等參數(shù)。

4.壓降單元