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gems變送器 壓力變送器

  gems 壓力產(chǎn)品滿足您對優(yōu)越壓力測量性能和長期可靠性的應(yīng)用需求。從真空到 10,000 psig (-1 ~ 689 bar)，gems提供您多種技術(shù)、最豐富的工業(yè)選型。電容傳感器是大批量使用場合的理想選擇；濺射薄膜技術(shù)是您可以獲得的最高精度的壓力傳感器，同時(shí)gems也提供其他技術(shù)的傳感器。豐富的類型滿足以下應(yīng)用。

psibar® cvd 型 壓力變送器

  化學(xué)氣相沉積工藝將多晶硅層以分子級鍵合于不銹鋼膜片上，使得傳感器具有優(yōu)異的長期穩(wěn)定性表現(xiàn)。批量化半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝帶來了價(jià)格合理而性能極佳的多晶硅應(yīng)變式壓力核心元件。cvd 結(jié)構(gòu)提供了具有競爭力的價(jià)格和性能, 使gems的壓力變送器在oem 應(yīng)用中廣受歡迎。

濺射薄膜型 壓力變送器

  濺射薄膜沉積工藝造就了優(yōu)秀的非線性、遲滯和重復(fù)性性能。精度高于 0.08％ 滿量程，長期穩(wěn)定性最低每年 0.06％ 滿量程。優(yōu)良性能使gems的壓力變送器適用于最苛刻的儀器。

電容型 壓力變送器

  gems 生產(chǎn)針對 oem 特殊應(yīng)用的多種量程的電容式壓力傳感器。根據(jù)兩個(gè)表面間電容的變化，gems 變送器可以檢測極低的壓力或真空。堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)適合于各種不同應(yīng)用場合。該類型壓力變送器采用先進(jìn)的 asic 芯片, 具有極高的性價(jià)比。

mms 型 壓力變送器

  采用微加工硅膜片檢測壓力的變化.硅膜片由充油的 316ss 隔離膜片保護(hù)，并與過程介質(zhì)隔離。緊湊型尺寸的mms 傳感器采用成熟的半導(dǎo)體技術(shù),具有高過壓、非線性小、耐熱沖擊、高穩(wěn)定性等特點(diǎn)。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

杰出的重復(fù)性、可靠性

傳感器量程從真空至 10,000 psi (-1 至 689 bar)

多種傳感器科技：    

化學(xué)氣相沉積    

濺射薄膜    

電容式    

mms。

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